| 摘要 |
絶縁基板への積層工程前にはキャリアと極薄銅層との密着力が高い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアと極薄銅層との密着性が低下し、キャリア／極薄銅層界面で容易に剥離でき、且つ、極薄銅層側表面におけるピンホールの発生が良好に抑制されたキャリア付銅箔を提供する。キャリア付銅箔は、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備える。中間層は、銅箔キャリア上に、ニッケル層及びクロメート層がこの順で積層されて構成されており、中間層のニッケルの付着量が１００〜４００００μｇ／ｄｍ2、クロムの付着量が５〜１００μｇ／ｄｍ2であり、銅箔キャリア／中間層／極薄銅層の断面から、これらを全て含む範囲で５０〜１０００ｎｍ長ＳＴＥＭ線分析を行ったとき、Ｎｉ濃度の最大値が４０〜９５質量％であり、且つ、ＮｉとＣｕとが共存する箇所のＣｕ濃度の最小値が１〜５０質量％である。 |
