気密バリア層を形成するための高速被着システム及びプロセス

摘要

気密バリア層を形成する方法は、スパッタリングターゲットから薄膜をスパッタリングするステップを含み、ここでスパッタリングターゲットは低Ｔｇガラス、低Ｔｇガラス前駆体又は銅又はスズの酸化物を包含する。スパッタリングの間、バリア層内の欠陥の形成は狭小な範囲内に制限され、スパッタリング物質は２００℃未満の温度に維持される。