| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat mit einem Außenrand (604), mehreren schaltbaren Zellen (101, 202, 202a, 202b, 202c), die einen aktiven Bereich (10) definieren, und einem Randabschlussgebiet (600), das zwischen den schaltbaren Zellen (101, 202, 202a, 202b, 202c), welche den aktiven Bereich (10) definieren, und dem Außenrand (604) angeordnet ist, auf. Jede der schaltbaren Zellen (101, 202, 202a, 202b, 202c) weist ein Bodygebiet (312), eine Gate-Elektrodenstruktur (315) und ein Sourcegebiet (313) auf. Der durch die schaltbaren Zellen (101, 202, 202a, 202b, 202c) definierte aktive Bereich (10) weist wenigstens ein erstes schaltbares Gebiet (100) mit einer ersten Transkonduktanz und ein zweites schaltbares Gebiet (200) mit einer von der ersten Transkonduktanz (100) verschiedenen zweiten Transkonduktanz auf. |
