共用拡散標準セルの構造

摘要

半導体標準セル（２００）は、Ｎタイプの拡散領域とＰタイプの拡散領域（２０２）を含み、その両方がセルをわたっておよびセルの外側にも延在する。セルはまた、半導体デバイスを生成するために各拡散領域上方に導電ゲート（２０６）を含む。一対のダミーゲート（２０８、２１８）はまた、一対のダミーデバイスを生成するＮタイプの拡散領域とＰタイプの拡散領域上方にある。一対のダミーゲートはセルの反対側の端部に配置される。セルは、ダミーデバイスを無効にするための電源またはグラウンドにダミーデバイスを結合するように構成された第１の導電線（２１４）をさらに含む。