| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung weist ein Halbleitersubstrat (301) mit einem Außenrand (604), mehreren schaltbaren Zellen (101, 202), die einen aktiven Bereich (10) definieren, und einem Randabschlussgebiet (600), das zwischen den schaltbaren Zellen (101, 202), welche den aktiven Bereich (10) definieren, und dem Außenrand (600) angeordnet ist, auf. Jede der schaltbaren Zellen (101, 202) weist ein Bodygebiet, eine Gate-Elektrodenstruktur und ein Source-Gebiet auf. Eine Source-Metallisierung steht in ohmschem Kontakt mit den Source-Gebieten der schaltbaren Zellen (101, 202). Eine Gate-Metallisierung (305) steht in ohmschem Kontakt mit den Gate-Elektrodenstrukturen der schaltbaren Zellen (101, 202). Der durch die schaltbaren Zellen (101, 202) definierte aktive Bereich (10) weist wenigstens ein erstes schaltbares Gebiet (100) auf, dessen spezifische Gate-Drain-Kapazität von der spezifischen Gate-Drain-Kapazität eines zweiten schaltbaren Gebiets (200) verschieden ist. |
