发明名称 一种测定单糖对映体过量值的方法
摘要 本发明提供一种测定单糖对映体过量值的方法:1)利用静电吸附的方法将二肽聚乙烯亚胺聚合物接枝到石英微晶体天平芯片表面,形成聚合物薄膜;2)分别利用不同的已知对映体过量值的单糖溶液浸泡步骤1)得到的石英微晶体天平芯片;3)利用原子力显微镜的力学模式分别测定上述不同的已知对映体过量值的单糖溶液浸泡后的聚合物薄膜的杨氏模量大小,得到聚合物薄膜杨氏模量相对于对映体过量值的线性关系曲线;4)提供未知对映体过量值的单糖溶液,重复步骤2)和3)得到杨氏模量值,该杨氏模量值对应的线性关系曲线上的对映体过量值即为测试结果。该方法测量准确、操作简单、可重复好,有望在糖类物质的对映体含量检测领域获得广泛的应用。
申请公布号 CN105181910A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510688055.0 申请日期 2015.10.21
申请人 武汉理工大学 发明人 卿光焱;孙涛垒;吕子玉
分类号 G01N33/00(2006.01)I 主分类号 G01N33/00(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 邬丽明
主权项 一种测定单糖对映体过量值的方法,其包括如下步骤:1)利用静电吸附的方法将二肽聚乙烯亚胺聚合物接枝到石英微晶体天平芯片表面,形成聚合物薄膜;所述二肽聚乙烯亚胺聚合物为<img file="FDA0000826999960000011.GIF" wi="812" he="597" />其中,n为聚合度,其范围为5至200000;2)分别利用不同的已知对映体过量值的单糖溶液浸泡步骤1)得到的石英微晶体天平芯片;3)利用原子力显微镜的力学模式分别测定上述不同的已知对映体过量值的单糖溶液浸泡后的聚合物薄膜的杨氏模量大小,得到聚合物薄膜杨氏模量相对于对映体过量值的线性关系曲线;4)提供未知对映体过量值的单糖溶液,重复步骤2)和3)得到杨氏模量值,该杨氏模量值对应的线性关系曲线上的对映体过量值即为测试结果。
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号