| 发明名称 | 去除伪栅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种去除伪栅的方法，在去除伪栅的步骤中，通过采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，去除部分厚度的伪栅；采用表面波等离子体刻蚀对剩余的伪栅进行第二刻蚀，去除部分厚度的伪栅；采用湿法刻蚀对剩余的伪栅进行第三刻蚀，将伪栅去除，使所述开口露出所述衬底。在采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，在第一刻蚀结束时，尺寸较大的伪栅与尺寸较小的伪栅的厚度基本相同，使最终形成的在采用表面波等离子体刻蚀对剩余的伪栅进行第二刻蚀的过程中，表面波等离子体刻蚀产生的等离子体具有较低的电子温度，不容易进入衬底，同时表面波等离子体刻蚀产生的真空紫外线很少，从而不容易造成衬底的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN105185706A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201410239069.X | 申请日期 | 2014.05.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种去除伪栅的方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成包括伪栅的伪栅结构；采用脉冲等离子体刻蚀对所述伪栅进行第一刻蚀，去除部分厚度的伪栅，形成开口；采用表面波等离子体刻蚀对剩余的伪栅进行第二刻蚀，去除部分厚度的伪栅，使所述开口加深；采用湿法刻蚀对剩余的伪栅进行第三刻蚀，去除伪栅使开口露出所述衬底。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||