发明名称 一种定长数据在FLASH的存储方法
摘要 本发明公开了一种定长数据在FLASH的存储方法,该方法包括:预先给需要保存的数据结构分配总存储空间,并在总存储空间中对数据结构中的每个定长子数据结构分配互不重叠的子存储空间;获取定长子数据结构的特征信息,包括定长子数据结构在内存中的起始地址和数据长度;初始化定长子数据结构存储参数,包括定长子数据结构存储起始地址、占用扇区数、当前数据扇区序号、地址偏移下标索引值以及校验值;定义定长子数据结构在存储空间的存储规则;根据定长子数据结构的特征信息、定长子数据结构存储参数以及存储规则,将定长子数据结构存储至子存储空间中。采用本技术方案,方便有效的提高了FLASH存储寿命,减少FLASH碎片。
申请公布号 CN105183392A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510598731.5 申请日期 2015.09.18
申请人 广州日滨科技发展有限公司 发明人 涂海胜;刘辉;文科;余佳鑫;仲兆峰
分类号 G06F3/06(2006.01)I 主分类号 G06F3/06(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 孟金喆;胡彬
主权项 一种定长数据结构在闪存FLASH的存储方法,其特征在于,包括:预先给需要保存的数据结构分配总存储空间,并在所述总存储空间中对所述数据结构中的每个定长子数据结构分配互不重叠的子存储空间;获取所述定长子数据结构的特征信息,所述特征信息包括所述定长子数据结构在内存中的起始地址和数据长度;初始化所述定长子数据结构存储参数,所述存储参数包括所述定长子数据结构存储起始地址、占用扇区数、当前数据扇区序号、地址偏移下标索引值以及校验值;定义所述定长子数据结构在存储空间的存储规则;根据所述定长子数据结构的特征信息、所述定长子数据结构存储参数以及所述存储规则,将所述定长子数据结构存储至所述子存储空间中。
地址 510660 广东省广州市高新技术产业开发区科学城南翔三路2号
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