| 发明名称 | 一种环形栅半导体功率器件和制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种环形栅半导体功率器件和制备方法，包括源极，漏极和环形的N型漂移区，其特征在于，所述N型漂移区连接所述源极和漏极，所述N型漂移区内插入了一层U形场板，所述场板将所述源极、漏极和N型漂移区分隔成上漂移区和下漂移区，所述场板与所述上漂移区和下漂移区之间设置有两层栅氧层，所述场板靠近源极的一端连接栅极；在传统的Trench LDMOS的N型漂移区插入一层N型重掺杂多晶硅，使得器件变成了双沟道双通道器件，在提高器件导通电流的同时增加了器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105185819A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510651422.X | 申请日期 | 2015.10.10 |
| 申请人 | 工业和信息化部电子第五研究所华东分所 | 发明人 | 夏超;张琦 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 孟金喆;胡彬 |
| 主权项 | 一种环形栅半导体功率器件，其特征在于，包括源极，漏极和环形的N型漂移区，其特征在于，所述N型漂移区连接所述源极和漏极，所述N型漂移区内插入了一层U形场板，所述场板将所述源极、漏极和N型漂移区分隔成上漂移区和下漂移区，所述场板与所述上漂移区和下漂移区之间设置有两层栅氧层，所述场板靠近源极的一端连接栅极。 | ||
| 地址 | 215400 江苏省苏州市高新区珠江路117号 | ||