| 发明名称 | 用于振荡器电路的低电源敏感度的偏置电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于振荡器的低电源敏感度的偏置电路,包含5个NMOS和5个PMOS；5个NMOS的源极全部接地，第一NMOS的栅极与漏极短接，为电流输入端；第一～第三NMOS的栅极接同一电位，第一、第二以及第五PMOS的栅极接同一电位，第一、第二以及第五PMOS的源极短接并接电源，第一PMOS的栅极与漏极短接之后接第二NMOS的漏极，第三PMOS的源极接第二PMOS的漏极，第四PMOS的栅极接第二PMOS的漏极，第四PMOS的源极接电源，第三PMOS的栅极与第四PMOS的漏极短接之后与第三NMOS的漏极相连；第四与第五NMOS的栅极相连且第五NMOS的栅极与漏极短接之后接第五PMOS的漏极，第四NMOS的漏极接第三PMOS的漏极。本发明可得到不随电源电压变化的输出电流，增强输出频率的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN105187012A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510426753.3 | 申请日期 | 2015.07.20 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 宏潇 |
| 分类号 | H03B5/04(2006.01)I;H03B5/24(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种用于振荡器电路的低电源敏感度的偏置电路，其特征在于：包含有第一～第五共5个NMOS，以及第一～第五共5个PMOS；所述的第一～第五NMOS的源极全部接地，第一NMOS的栅极与漏极短接成为电流输入端；第一～第三NMOS的栅极并联在一起，第一、第二以及第五PMOS的栅极短接在一起，第一、第二以及第五PMOS的源极短接并接电源，第一PMOS的栅极与漏极短接之后接第二NMOS的漏极，第三PMOS的源极接第二PMOS的漏极，第四PMOS的栅极接第二PMOS的漏极，第四PMOS的源极接电源，第三PMOS的栅极与第四PMOS的漏极短接之后与第三NMOS的漏极相连；第四与第五NMOS的栅极相连且第五NMOS的栅极与漏极短接之后接第五PMOS的漏极，第四NMOS的漏极接第三PMOS的漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||