氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明提供氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法，通过在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，增加激光能量，调整激光频率，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，有效地排出激光隐形切割后留下的烧痕、碎屑等副产物，减少副产物的光吸收，增加发光二极管的侧壁出光，提升出光效率；此外，由于衬底与孔洞折射率不同，同时激光划痕类似将LED芯片侧面粗化，增大了光取出的角度，从而达到增加轴向光的目的，如此提高了LED芯片的整体发光效率。

主权项

氮化镓基发光二极管芯片的制备方法，制作步骤如下：（1）提供一种衬底；（2）在所述衬底上形成外延层；（3）在衬底内部通过激光隐形切割得到烧蚀孔洞；（4）通过光罩、蚀刻工艺，制作P、N电极；（5）经过研磨、劈裂工艺，制得发光二极管芯片；其特征在于：步骤（3）所述激光隐形切割在距衬底背面向内10μm~40μm位置处聚焦，调整激光能量到0.32W~0.6W，调整激光频率在15KHz~40KHz，使得激光隐形切割在衬底内烧蚀形成孔洞贯穿至露出衬底背面，利于烧痕、碎屑副产物排出，减少吸光。