在准分子激光退火后具有改善的多晶硅质量的多层非晶硅结构

摘要

本文中所述的实施例大致上涉及用于形成可用于薄膜晶体管器件的多层非晶硅结构的方法。在一个实施例中，方法包括：将包含缓冲层的基板定位在工艺腔室中，此工艺腔室包括处理区；形成多个非晶硅层；以及对这些非晶硅层退火以形成多晶硅层。形成这多个层包括：将含硅前体和第一活化气体输送至处理区以在缓冲层上形成第一非晶硅层，含硅前体和第一活化气体由等离子体活化；以及维持含硅前体的连续流动，同时在没有第一活化气体的情况下将第二活化气体输送至处理区，以便在第一硅层上沉积第二硅层。

主权项

一种方法，包括下述步骤：沉积第一非晶硅层，所述沉积步骤包括：将含硅前体和第一活化气体输送至处理区，以便在基板上沉积所述第一非晶硅层，所述含硅前体和所述第一活化气体由等离子体活化；以及在所述第一非晶硅层上沉积第二非晶硅层，所述沉积步骤包括：维持所述含硅前体的连续流动，同时将第二活化气体输送至所述处理区，同时停止所述第一活化气体的输送，所述含硅前体和所述第二活化气体由等离子体活化；使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层脱氢；以及在所述脱氢之后，对所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层退火以形成多晶硅层。