一种晶体硅片的清洗工艺方法

摘要

本发明公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法，包括以下步骤：1、将硅片进行酸腐蚀处理；2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗；3、再将硅片放入温度控制在60-80℃，体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐蚀处理；4、将碱腐蚀后的硅片用纯水进行清洗；5、然后将硅片流转至体积浓度在5-15%的HF混合溶液中浸泡，对硅片表面的氧化物进行有效去除；6、将酸洗后的硅片用纯水清洗；7、将以上处理过的硅片进行干燥处理。发明提出的工艺方法既可以保留原有的背面刻蚀和去PSG功能，又增加了背面抛光功能，大大提高了硅片的光转换效率，同时降低了生产成本。

主权项

一种晶体硅片的清洗工艺方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、首先将硅片置于温度控制在8‑16℃，体积浓度在5‑7.5%的HF和35‑45%的HNO3的混合溶液中浸泡0.8‑1.5分钟，进行酸腐蚀处理，达到对硅片背面及四周进行刻蚀的目的；步骤2、将酸腐蚀后的硅片随即流转至10‑18MΩ·cm纯水中以喷淋、浸泡或者两种方法结合的方式进行清洗，以尽量降低酸液在硅片表面的附着为目的；步骤3、再将硅片放入温度控制在60‑80℃，体积浓度在10‑20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5‑3分钟的碱腐蚀处理，经此工艺可将硅片背面反射率提高到40%以上，从而达到对硅片背面进行抛光目的；步骤4、将碱腐蚀后的硅片也随即流转至10‑18MΩ·cm纯水中以喷淋、浸泡或者两种方法结合的方式进行清洗，以尽量降低碱液液在硅片表面的附着为目的；步骤5、然后将硅片流转至体积浓度在5‑15%的HF混合溶液中浸泡0.5‑1.5分钟，对硅片表面的氧化物进行有效去除，避免这些物质影响硅片的最终质量；步骤6、将酸酸洗后的硅片随即流转至10‑18MΩ·cm纯水中以喷淋、浸泡或者两种方法结合的方式进行清洗，以尽量降低酸液和硅片表面附着物为目的；步骤7、将以上处理过的硅片进行干燥处理，保证硅片表面无水迹，以利于硅片进入后面的生产流程。