| 发明名称 | 铜铟镓硒薄膜制备方法 | ||
| 摘要 | 一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。在上述铜铟镓硒薄膜制备方法中，通过在磁控溅射过程中，镓靶晚于铟靶开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶停止磁控溅射，从而有效减少镓组分在最终所制得的铜铟镓硒薄膜的底部富集，增加镓组分在铜铟镓硒薄膜顶部的含量，达到提升开路电压的目的，此外，使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率较高。 | ||
| 申请公布号 | CN103343323B | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201310277577.2 | 申请日期 | 2013.07.03 |
| 申请人 | 深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明人 | 杨春雷;于冰;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;鲍浪;郭延璐;徐苗苗 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种铜铟镓硒薄膜制备方法，包括以下步骤：通过采用铜靶、铟靶及镓靶靶材的磁控溅射，在衬底上制备铜铟镓硒预制层，所述镓靶由三硒化二镓材料制成；所述镓靶晚于所述铟靶开始磁控溅射，并且所述镓靶晚于所述铟靶停止磁控溅射；其中，镓靶晚于铟靶3～5分钟开始磁控溅射，且镓靶晚于铟靶3～5分钟停止磁控溅射；及对所述铜铟镓硒预置层进行硒化及退火，制得铜铟镓硒薄膜。 | ||
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||