| 发明名称 | In-Ga-Zn系氧化物溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种溅射靶，其含有氧化物A和InGaZnO<sub>4</sub>，所述氧化物A在2θ=7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°、56.5°～59.5°、14.8°～16.2°、22.3°～24.3°、32.2°～34.2°、43.1°～46.1°、46.2°～49.2°和62.7°～66.7°的区域A～K具有衍射峰。 | ||
| 申请公布号 | CN103518004B | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201280022417.7 | 申请日期 | 2012.04.27 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 砂川美佐;糸濑将之;西村麻美;笠见雅司 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其含有下述氧化物A和InGaZnO<sub>4</sub>，其中，铟元素(In)、镓元素(Ga)和锌元素(Zn)的原子比满足下述式(1)和(2)：0.25≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.55 (1)0.15≤Ga/(In+Ga+Zn)＜0.33 (2)，氧化物A：在通过使用Cukα射线的X射线衍射测定得到的谱图中，在下述A～K的区域中观测到衍射峰的氧化物，A.2θ＝7.0°～8.4°B.2θ＝30.6°～32.0°C.2θ＝33.8°～35.8°D.2θ＝53.5°～56.5°E.2θ＝56.5°～59.5°F.2θ＝14.8°～16.2°G.2θ＝22.3°～24.3°H.2θ＝32.2°～34.2°I.2θ＝43.1°～46.1°J.2θ＝46.2°～49.2°K.2θ＝62.7°～66.7°。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||