发明名称 | 在集成电路中探测光故障注入攻击的结构及其探测方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种在集成电路中探测光故障注入攻击的结构,采用反相器结构,反相器由上面的两个并联的PMOS管和下面的一个NMOS管构成。探测时,在芯片上的空余位置处设置多个反相器INV0D2_PRO,反相器INV0D2_PRO的结构如本发明中所设计的在集成电路中探测光故障注入攻击的结构;再将该多个反相器INV0D2_PRO的输出依据总线拓扑结构进行互联,并将多个反相器INV0D2_PRO的输出信号进行整合;将整合后的信号汇总作为预警信号,从而完成对于集成电路中光故障注入攻击的探测。本发明可以在检测到攻击之后,能够及时做出响应,避免芯片中的关键数据被分析、窃取等。 | ||
申请公布号 | CN105184194A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
申请号 | CN201510657315.8 | 申请日期 | 2015.10.13 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 赵毅强;何家骥;刘阿强;杨松;李旭 |
分类号 | G06F21/76(2013.01)I | 主分类号 | G06F21/76(2013.01)I |
代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 李丽萍 |
主权项 | 一种在集成电路中探测光故障注入攻击的结构,其特征在于,采用反相器结构,所述反相器由上面的两个并联的PMOS管和下面的一个NMOS管构成。 | ||
地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 |