| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种通过引线(7)电连接半导体元件与电路层的模块结构的半导体装置，在半导体元件的正面电极(12)的表面形成正面金属膜(14)，在该正面金属膜(14)上通过引线键合而接合有引线(7)。正面金属膜(14)的硬度比正面电极(12)或引线(7)的硬度高。如此，能够提高半导体装置的功率循环能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105190858A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480012154.0 | 申请日期 | 2014.04.23 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 百濑文彦;齐藤隆;木户和优;西村芳孝 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;金玉兰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，是通过引线键合电连接半导体元件的电极与引线而成的半导体装置，其特征在于，在所述电极的表面设置有硬度比所述引线高的金属膜，所述引线通过引线键合被接合在所述金属膜上，所述引线的与所述金属膜的接合界面的再结晶温度为175℃以上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||