| 发明名称 | 有机半导体共混物 | ||
| 摘要 | 用于制备有机电子器件的半导体层的共混物，该共混物包含聚合物、第一非聚合物半导体、第二非聚合物半导体和第三非聚合物半导体。该共混物使得能够实现更高浓度的半导体溶液以及更宽的溶液加工窗口，相比于包含一种聚合物和一种非聚合物半导体的共混物而言。例如，包含F8-TFB和三种不同的取代苯并噻吩衍生物的共混物与具有一种聚合物和这些苯并噻吩衍生物之一的共混物相比在OTFT中显示出高三倍的平均饱和迁移率以及在60℃、80℃和100℃干燥之后一致的峰值饱和迁移率，即使在2分钟的延迟之后。 | ||
| 申请公布号 | CN105190924A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480013911.6 | 申请日期 | 2014.03.12 |
| 申请人 | 剑桥显示技术有限公司 | 发明人 | C·纽萨姆 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王海宁 |
| 主权项 | 用于制备有机电子器件的半导体层的共混物，其包含：(i)聚合物；(ii)第一非聚合物半导体；(iii)第二非聚合物半导体；和(iv)第三非聚合物半导体。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||