发明名称 |
一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将待处理的硅片放入扩散炉进行磷扩散;(2)将硅片保持在扩散炉中,以1~10℃/min的降温速率降温至780~800℃,通入干氧和大氮进行氧化处理,在硅片表面形成二氧化硅薄膜;(3)出舟;(4)将上述硅片放于HF溶液中进行清洗;(5)干燥处理。本发明开发了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法,采用了“一步扩散和选择性清洗”的方法,既减少了太阳能电池制作的工序,又提升了太阳能电池的电性能,制得的太阳能电池组件又具有抗电位衰减效应的能力。 |
申请公布号 |
CN103236470B |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201310151086.3 |
申请日期 |
2013.04.26 |
申请人 |
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
发明人 |
万松博;龙维绪;王栩生;章灵军 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
陶海锋;陆金星 |
主权项 |
一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 将待处理的硅片放入扩散炉进行磷扩散;(2) 将硅片保持在扩散炉中,以1~10℃/min的降温速率降温至780~800℃,通入干氧和大氮进行氧化处理,在硅片表面形成二氧化硅薄膜;其中,干氧的流量为5~30 L/min,大氮的流量为0~30 L/min,氧化处理时间为20~100 min;(3) 出舟;(4) 将上述硅片放于HF溶液中进行清洗;其中,HF溶液的体积浓度为1~10%,溶液温度为10~30℃,清洗时间为20~200s;(5) 干燥处理。 |
地址 |
215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 |