| 发明名称 | 化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械研磨方法，包括：启动步骤，用于使得研磨液设置、研磨压力设置、研磨垫转速设置自初始值到达预设值；主研磨步骤，用于基于所述预设值对半导体表面的待研磨材料层进行研磨；清洗步骤，用于在所述主研磨步骤结束后，停止研磨液供应并对半导体衬底和研磨垫的表面进行清洗；还包括：冷却步骤，利用很低的研磨压力、较低的研磨垫和晶圆转速，同时用高压喷水，用于对清洗步骤后的研磨垫进行冷却。本发明改善了化学机械研磨后半导体衬底的片间厚度均匀性，减少了返工步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN105171536A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510491035.4 | 申请日期 | 2015.08.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张泽松;胡海天;李儒兴;陶仁峰 |
| 分类号 | B24B1/00(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种化学机械研磨的方法，包括：启动步骤，用于使得研磨液设置、研磨压力设置、研磨垫转速设置参数自初始值到达预设值；主研磨步骤，用于基于所述预设值对半导体表面的待研磨材料层进行研磨；清洗步骤，用于在所述主研磨步骤结束后，停止研磨液供应并对半导体衬底和研磨垫的表面进行清洗；其特征在于，还包括：冷却步骤，研磨压力不超过主研磨步骤的研磨压力的1/2，研磨垫的转速不超过主研磨步骤的研磨垫转速的1/2，半导体衬底的转速不超过主研磨步骤半导体衬底转速的1/2，清洗步骤中利用流速不小于3L/min的高压水进行清洗，用于对清洗步骤后的研磨垫进行冷却。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||