| 发明名称 | 耐磨抗静电抑菌PC复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高分子材料领域的耐磨抗静电抑菌PC复合材料及其制备方法，通过将PC和MWCNT‐g‐SiO<sub>2</sub>‐NH<sub>2</sub>‐g‐PC母粒熔融共混得到，其中：MWCNT‐g‐SiO<sub>2</sub>‐NH<sub>2</sub>‐g‐PC母粒通过将MWCNT‐g‐SiO<sub>2</sub>‐NH<sub>2</sub>、DBTO和PC密炼接枝得到。本发明制备的PC复合材料具有耐磨、抗静电和抑菌的性能，可广泛应用于上网卡和手机、打印机等电子电器器械外壳，制备方法简便，适于工业化。 | ||
| 申请公布号 | CN105176036A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510532364.9 | 申请日期 | 2015.08.26 |
| 申请人 | 上海中镭新材料科技有限公司 | 发明人 | 刘春艳;王正友;刘艺;林珊珊 |
| 分类号 | C08L69/00(2006.01)I;C08K9/10(2006.01)I;C08K9/02(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K7/24(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I;C08J3/22(2006.01)I | 主分类号 | C08L69/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王毓理;王锡麟 |
| 主权项 | 一种耐磨抗静电抑菌PC复合材料的制备方法，其特征在于，通过将PC和MWCNT‐g‐SiO<sub>2</sub>‐NH<sub>2</sub>‐g‐PC母粒熔融共混得到，其中：MWCNT‐g‐SiO<sub>2</sub>‐NH<sub>2</sub>‐g‐PC母粒通过将MWCNT‐g‐SiO<sub>2</sub>‐NH<sub>2</sub>、DBTO和PC密炼接枝得到。 | ||
| 地址 | 201300 上海市浦东新区宣桥镇三灶都市型工业园宣夏路293号7幢-1区域 | ||