用于对半导体晶圆进行等离子切片的方法和设备

摘要

本发明提供了一种用于对衬底进行等离子切片的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将工件装载到工件支撑件上；提供夹持电极以用于将工件静电夹持到工件支撑件；提供在等离子体源和工件之间的机械隔板；通过等离子体源来产生等离子体；以及，通过所产生的等离子体来蚀刻工件。

主权项

一种用于对衬底进行等离子切片的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近所述处理室的所述壁提供等离子体源；在所述处理室内提供工件支撑件；在所述工件支撑件内提供静电吸盘，所述静电吸盘具有密封带和至少一个夹持电极；将工件放置到所述工件支撑件上，所述工件具有支撑膜、框架和衬底，其中，所述衬底不与所述密封带重叠；使用所述静电夹具将所述工件静电地夹持到所述工件支撑件；使用所述等离子体源来产生等离子体；以及使用所产生的等离子体来蚀刻所述工件。