通过C离子注入降低CMOS图像传感器白像素的方法

摘要

本发明公开了一种通过C离子注入降低CMOS图像传感器白像素的方法，针对传统CMOS图像传感器白像素较高的问题，通过采用离子注入工艺，在光电二极管周围的P+型隔离区中注入一定浓度的C离子，并通过高温退火工艺，促进P+型隔离区中C离子对氧气的聚集，以及氧聚集形成的氧沉淀对光电二极管中金属离子污染的吸附，从而可有效地降低CMOS图像传感器的白像素。

主权项

一种通过C离子注入降低CMOS图像传感器白像素的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一硅基体，在所述基体上以光刻胶作为阻挡层，通过离子注入工艺在所述基体中形成光电二极管的缓变PN结；步骤S02：以光刻胶作为阻挡层，通过离子注入工艺在所述基体中形成光电二极管的侧面P+型隔离，并接着通过离子注入工艺向侧面P+型隔离区中注入C离子；步骤S03：在所述基体上制备多晶硅传输栅，然后，以光刻胶作为阻挡层，通过离子注入工艺形成光电二极管在基体硅表面的P+型隔离，并接着通过离子注入工艺向表面P+型隔离区中注入C离子；步骤S04：进行高温退火工艺；步骤S05：制备栅极侧墙，并进行浅层离子注入，以及制备层间电介质、金属和通孔层。