发明名称 磁场传感器装置
摘要 本发明涉及一种用于测量至少一种磁场矢量分量H<sub>e</sub>的磁场传感器装置(10),包括至少一个布置在芯片基板(12)上的各向异性磁阻电阻设备(AMR电阻设备)(14),其中所述电阻设备(14)包括多个经导电条(18)串连连接的磁阻AMR电阻元件(16)。至少一个具有磁化轴(22)的永磁磁化元件(20)被分配到各电阻元件(16)使得所述磁化元件(20)的初始磁场H<sub>0</sub>沿所述磁化轴(22)的方向通过所述电阻元件(16)。从第一导电条(18a)和所述电阻元件(16)之间的接触区域(24)到所述电阻元件(16)和第二导电条(18b)之间的接触区域(26)流经所述电阻元件(16)的测量电流Is具有相对于所述磁化轴(22)成0°&lt;α&lt;90°预设线性角(30)的平均电流方向轴(28)。本发明公开一种能够经济地大量生产的高灵敏度的磁场传感器装置(10)。
申请公布号 CN105190340A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201480025351.6 申请日期 2014.04.23
申请人 森斯泰克有限公司 发明人 休伯特·格林;维克托·斯百特
分类号 G01R33/09(2006.01)I;G01R33/00(2006.01)I 主分类号 G01R33/09(2006.01)I
代理机构 北京冠和权律师事务所 11399 代理人 朱健;陈国军
主权项 一种用于测量至少一种磁场矢量分量H<sub>e</sub>的磁场传感器装置(10),包括至少一个布置在芯片基板(12)上的各向异性磁阻电阻设备(AMR电阻设备)(14),其中,所述电阻设备(14)包括多个经导电条(18)串连连接的磁阻AMR电阻元件(16),其特征在于:至少一个具有磁化轴(22)的永磁磁化元件(20)分配到各电阻元件(16)使得所述磁化元件(20)的初始磁场H<sub>0</sub>沿所述磁化轴(22)的方向通过所述电阻元件(16),其中自第一导电条(18a)和所述电阻元件(16)之间的接触区域(24)至所述电阻元件(16)和第二导电条(18b)之间的接触区域(26)流经所述电阻元件(16)的测量电流Is具有相对于所述磁化轴(22)成0°&lt;α&lt;90°预设线性角(30)的平均电流方向轴(28)。
地址 德国拉瑙市