发明名称 | 半导体部件 | ||
摘要 | 本发明涉及半导体部件,该半导体部件包括半导体主体、位于半导体主体中的沟道区、与沟道区相邻的沟道控制电极、以及位于沟道区和沟道控制电极之间的介电层,其中介电层具有负温度系数的相对介电常数ε<sub>r</sub>。 | ||
申请公布号 | CN105185822A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
申请号 | CN201510617160.5 | 申请日期 | 2010.08.25 |
申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | H-J.舒尔策;F.普菲尔施 |
分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧永杰;姜甜 |
主权项 | 一种半导体部件,包括:半导体主体(1);沟道区(2),位于半导体主体(1)中;沟道控制电极(3),与沟道区(2)相邻;介电层(4),位于沟道区(2)和沟道控制电极(3)之间;其中,介电层(4)包括具有负温度系数的相对介电常数ε<sub>r</sub>。 | ||
地址 | 奥地利菲拉赫 |