一种低匹配线电容的TCAM单元

摘要

本发明涉及一种TCAM单元，一种低匹配线电容的TCAM单元，包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4，所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端，T1输入端与T2输出端相连作为D#端，MN1栅极与D#端相连，MN2栅极与D端相连；T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端，T3输入端与T4输出端相连作为M#端；MN3栅极与M#端相连，源极分别与MN1、MN2漏极相连，MN4栅极与M端相连，源极接地，MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连，源极接地，漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4，大大降低了匹配线功耗。另外，由于D和D#互补，避免了两个MOS管之间短路问题的发生。

主权项

一种低匹配线电容的TCAM单元，包括第1、2、3、4、5MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及第1、2、3、4反相器T1、T2、T3、T4，其特征在于：所述第1反相器T1输出端与第2反相器T2输入端相连作为存储数据D端，所述第1反相器T1输入端与第2反相器T2输出端相连作为D#端，所述D#端是D端的逻辑非，所述第1MOS管MN1栅极与D#端相连、源极与搜索数据SL端相连，所述第2MOS管MN2栅极与D端相连、源极与SL#端相连，所述SL#端是SL端的逻辑非；所述第3反相器T3输出端与第4反相器T4输入端相连作为屏蔽位M端，所述第3反相器T3输入端与第4反相器T4输出端相连作为M#端，所述M#端是M端的逻辑非；所述第3MOS管MN3栅极与M#端相连，源极分别与第1、2MOS管MN1、MN2漏极相连，所述第4MOS管MN4栅极与M端相连，源极直接接地，所述第3、4MOS管MN3、MN4漏极相连并与第5MOS管MN5栅极相连，用于控制下拉逻辑，所述第5MOS管MN5源极直接接地，漏极与匹配线ML相连。