半导体器件、显示装置和电子电器

摘要

沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。

主权项

一种半导体装置，包括：包括铟的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包含第一区域、第二区域和所述第一区域与所述第二区域之间的沟道形成区；所述沟道形成区之上并与其接触的氧化物绝缘层；所述第一区域和所述氧化物绝缘层之上的第一金属层，所述第一金属层与所述第一区域和所述氧化物绝缘层的顶面接触；所述第二区域和所述氧化物绝缘层之上的第二金属层，所述第二金属层与所述第二区域和所述氧化物绝缘层的所述顶面接触；以及所述沟道形成区之下的栅电极，其间具有栅极绝缘层，其中，所述氧化物半导体层包括纳米晶，所述沟道形成区是i型，所述第一区域具有n型导电性，以及所述第二区域具有n型导电性。