| 发明名称 | 一种线路修补结构及修补方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种线路修补结构及修补方法，用于修补薄膜晶体管阵列基板上沿不同方向延伸的电连接线在相互交叉处所形成的断路。所述线路修补结构包括从断路点所在的电连接线朝同一侧延伸而出并连通断路点两端的修补线及保护图案。所述修补线穿过与断路点所在电连接线相交的另一电连接线。所述保护图案设置在修补线与修补线所穿过的电连接线之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103311220B | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201310261423.4 | 申请日期 | 2013.06.27 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 徐亮 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人 | 刘敏 |
| 主权项 | 一种线路修补结构，其用于修补薄膜晶体管阵列基板(11)上沿不同方向延伸的电连接线在相互交叉处所形成的断路，所述薄膜晶体管阵列基板(11)包括沿第一方向延伸的扫描线(110)、沿第二方向延伸的数据线(112)、位于扫描线(110)与数据线(112)相交处的TFT(113)、及与TFT(113)相连接的像素电极(114)，所述线路修补结构包括从断路点所在的电连接线朝同一侧延伸而出并连通断路点两端的修补线(10)及非晶硅保护图案(12)，所述修补线(10)穿过与断路点所在电连接线相交的另一电连接线，所述非晶硅保护图案(12)设置在修补线(10)与修补线(10)所穿过的电连接线之间；所述非晶硅保护图案(12)是在进行非晶硅曝光工艺时预设在电连接线上的。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||