一种MEMS器件的制造方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件的制造方法，首先，通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层；接着，在有机填充材料刻蚀之后、导电材料层刻蚀之前，采用氟基气体与低流量氧气的混合气体刻蚀去除了图案化的光刻胶层以及填充材料层暴露表面反应产生的聚合物残留；然后，采用各向同性的方式刻蚀导电材料层；之后，在导电材料层刻蚀之后，采用氟基气体与高量氧气的混合气体低温灰化去除图案化的光刻胶层以及有机填充材料层暴露表面再次产生的聚合物残留，保证了刻蚀导电材料层时所用掩膜的侧壁形貌，改善了导电材料层刻蚀后的形貌；抑制并去除了有机填充材料层和导电材料层刻蚀过程中产生的聚合物残留，改善了最终形成的沟槽形貌，提高了器件性能。

主权项

一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽；在形成沟槽的半导体衬底表面形成导电材料层，所述导电材料层未填满所述沟槽；在所述导电材料层表面形成具有平坦顶部表面的有机填充材料层，所述填充材料层完全填充所述沟槽；在所述有机填充材料层上形成图案化的光刻胶层，所述图案化的光刻胶层定义下方要保留的导电材料层；以所述图案化的光刻胶层为掩膜，并通过氯、氧混合等离子体刻蚀所述有机填充材料层，至所述导电材料层表面停止；采用氟基气体与具有第一流量的氧气的混合气体刻蚀去除所述有机填充材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留；以图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层为掩模，各向同性刻蚀所述导电材料层；采用氟基气体与具有第二流量的氧气的混合气体进行低温灰化工艺，去除所述导电材料层的刻蚀过程中反应产生的聚合物残留，所述第二流量大于第一流量；去除所述图形化的光刻胶层和剩余的有机填充材料层。