| 发明名称 | 一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种光致电子发射源及其制造方法、电子发射装置，所述制造方法包括：选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管。本发明实施例通过在导电基底上沉积催化剂层、以及生长碳纳米管进行制备的光致电子发射源，发射电流密度大、光电发射效率高、真空度要求低、稳定性高、制备方法简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN105185673A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510415969.X | 申请日期 | 2015.07.15 |
| 申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 李振军;李驰;白冰;戴庆 |
| 分类号 | H01J1/30(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;C01B31/00(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋;侯桂丽 |
| 主权项 | 一种光致电子发射源的制造方法，其特征在于，包括：选取适合碳纳米管生长的导电基底；在所述导电基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上生长碳纳米管。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 | ||