通过多晶硅吸杂降低CMOS图像传感器白像素的方法

摘要

本发明公开了一种通过多晶硅吸杂降低CMOS图像传感器白像素的方法，针对传统CMOS图像传感器白像素较高的问题，通过优化传统CIS工艺集成方法，利用传统工艺中必不可少的制作多晶硅传输栅的多晶硅层，在退火过程中吸附硅外延层中的金属杂质，使光电二极管中的金属杂质含量得以降低，从而有效降低了CMOS图像传感器中白像素的数量。

主权项

一种通过多晶硅吸杂降低CMOS图像传感器白像素的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一具有硅外延层的基体，在所述硅外延层中形成浅沟槽隔离、光电二极管的PN结以及光电二极管侧面的P+型隔离；步骤S02：在所述硅外延层上依次形成栅氧化层和多晶硅层；步骤S03：进行退火，利用多晶硅吸附所述硅外延层中的金属杂质；步骤S04：形成多晶硅传输栅和侧墙；形成光电二极管表面的P+型隔离以及形成N+型浮动扩散区；形成层间电介质、通孔和金属层。