一种HKMG器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种HKMG器件的制备方法，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底上依次沉积厚栅氧、无定型碳和二氧化硅膜，并在所述二氧化硅膜上沉积多晶硅；步骤3：对所述多晶硅进行图形化处理，以在所述多晶硅上待形成栅极的区域之外形成隔离层，所述隔离层与半导体衬底以及栅极区域之间形成有刻蚀停止层；步骤4：刻蚀去除栅极区域的多晶硅；步骤5：剥离去除栅极区域剩余的二氧化硅膜和无定型碳；步骤6：在栅极区域填充高k介质层和金属栅材料。本发明形成的氧-无定型碳-氧组合膜可以直接在已有设备中进行，没有额外的设备投入，并且无需担心污染或热稳定性问题。

主权项

一种HKMG器件的制备方法，包括：步骤1：提供半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底上依次沉积厚栅氧、无定型碳和二氧化硅膜，并在所述二氧化硅膜上沉积多晶硅；步骤3：对所述多晶硅进行图形化处理，以在所述多晶硅上待形成栅极的区域之外形成隔离层，所述隔离层与半导体衬底以及栅极区域之间形成有刻蚀停止层；步骤4：刻蚀去除栅极区域的多晶硅；步骤5：剥离去除栅极区域剩余的二氧化硅膜和无定型碳；步骤6：在栅极区域填充高k介质层和金属栅材料。