一种阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制作方法包括：在玻璃基板上方依次形成遮光层、缓冲层、多晶硅层、绝缘材料、第一金属层、隔离层、所述第二金属层、绝缘层、以及像素电极层。在形成了多晶硅层后，在多晶硅层上方先涂覆一绝缘材料；接着才使用离子植入机在绝缘材料上方进行离子植入，从而形成沟道；这样便有效避免了在离子植入制程中将离子直接打在多晶硅层上，从而造成多晶硅层表面缺陷，影响TFT特性的问题。本发明有效改善了离子植入制程中对多晶硅层表面的损失。

主权项

一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法包括：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上方沉积遮光层，并对所述遮光层进行图形化处理以形成遮光片；在所述遮光层上方形成缓冲层；在所述缓冲层上方形成多晶硅层；在所述多晶硅层上方涂覆一绝缘材料；使用离子植入机进行离子植入，形成沟道；在所述绝缘材料上方沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理以形成栅极；在所述第一金属层上方形成隔离层，用于隔离所述第一金属层和第二金属层；在所述隔离层上方沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理以形成源极和漏极；在所述第二金属层上方形成绝缘层，用于隔离所述第二金属层和像素电极层；在所述绝缘层上方沉积像素电极层，并对所述像素电极层进行图形化处理以形成像素电极。