发明名称 |
一种高效缓冲器 |
摘要 |
本发明公开了一种高效缓冲器,本发明缓冲器通过NMOS管和PMOS管的栅极输入实现高输入阻抗、通过NMOS管和PMOS管的漏极互补推挽输出实现低输出阻抗和大电流驱动能力,从而能够高效地驱动重负载,同时实现大摆幅电压信号缓冲;互补NMOS管和PMOS的电流共享避免了源极跟随缓冲器需要大偏置电流源的情况,实现低功耗、高效率;此外,缓冲器输入输出关系仅由MOS管的物理大小参数的比例关系确定,可避免源极跟随缓冲器的电平差,并且根据实际需要灵活实现输入输出电平关系,实现起来精准、信号失真小。本发明作为一种高效缓冲器可广泛应用于电子电路领域。 |
申请公布号 |
CN105187048A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201510510953.7 |
申请日期 |
2015.08.19 |
申请人 |
安凯(广州)微电子技术有限公司 |
发明人 |
李文冠;胡胜发 |
分类号 |
H03K19/0185(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 |
广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
代理人 |
胡辉 |
主权项 |
一种高效缓冲器,其特征在于:包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接作为缓冲器的输入端,所述第一PMOS管的源极连接电源,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接作为缓冲器的输出端,所述第二PMOS管的源极连接电源,所述第二NMOS管的源极接地。 |
地址 |
510663 广东省广州市科学城科学大道182号创新大厦C1区3楼 |