发明名称 |
用于富硒离子注入的供应源和方法 |
摘要 |
提供一种用于离子注入包含同位素富集硒的源材料的新颖方法。选择所述源材料并富集硒的特定质量同位素,藉此所述富集高于天然丰度水平。本发明的方法允许降低气体消耗以及减少废物。优选从低于大气压的储存和递送设备储存并递送所述源材料,以增加在所述硒离子注入工艺期间的安全性和可靠性。 |
申请公布号 |
CN105190826A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201480024538.4 |
申请日期 |
2014.05.01 |
申请人 |
普莱克斯技术有限公司 |
发明人 |
D.C.海德曼;A.K.辛哈;L.A.布朗 |
分类号 |
H01J37/317(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I;F17C1/00(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
周蓉;张昱 |
主权项 |
用于注入硒的方法,包括:选择基于富集硒的掺杂剂前体材料,所述材料具有多个硒质量同位素;从所述多个硒质量同位素选择特定硒质量同位素,所述特定的硒质量同位素以高于天然丰度水平的富集水平包含在所述前体材料中;提供所述基于富集硒的掺杂剂前体材料在储存和递送容器中,所述容器与所述选择的基于富集硒的掺杂剂前体兼容;从所述储存和递送容器取出气相的所述基于富集硒的掺杂剂前体材料;使所述材料以预定流量流至离子源;使所述基于富集硒的掺杂剂前体材料离子化,以产生所述特定硒质量同位素的离子;从所述离子源抽取所述离子化的特定硒质量同位素;将所述离子化的特定硒质量同位素注入基底;其中所述特定硒质量同位素被富集至比在相应的天然丰度硒掺杂剂前体材料中的所述特定硒质量同位素的浓度大的浓度,从而允许所述基于富集硒的掺杂剂前体材料的预定流率小于基于天然丰度硒的掺杂剂前体材料的相应流率。 |
地址 |
美国康涅狄格州 |