| 发明名称 | 半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数Φ<sub>M</sub>满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)<img file="DDA0000421660210000011.GIF" wi="385" he="74" />(式2)<img file="DDA0000421660210000012.GIF" wi="386" he="70" />且<img file="DDA0000421660210000013.GIF" wi="619" he="73" />其中，<img file="DDA0000421660210000014.GIF" wi="57" he="51" />表示N型半导体晶体层的电子亲和力、<img file="DDA0000421660210000015.GIF" wi="58" he="52" />及E<sub>g2</sub>表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN103548133B | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201280025380.3 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 高田朋幸;山田永;秦雅彦;高木信一;前田辰郎;卜部友二;安田哲二 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L27/095(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李国华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：基底基板；第一半导体晶体层，位于所述基底基板的上方；第二半导体晶体层，位于所述第一半导体晶体层的部分区域的上方；第一MISFET，以所述第一半导体晶体层中上方没有所述第二半导体晶体层的区域的一部分为沟道，具有第一源极及第一漏极；以及第二MISFET，以所述第二半导体晶体层的一部分为沟道，具有第二源极及第二漏极；所述第一MISFET为第一沟道型的MISFET，所述第二MISFET为与所述第一沟道型不同的第二沟道型的MISFET；所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极及所述第二漏极由同一种导电物质构成，所述导电物质的功函数Φ<sub>M</sub>满足式1及式2的至少之一的关系，式1：<img file="FDA0000814306590000011.GIF" wi="372" he="79" />式2：<img file="FDA0000814306590000012.GIF" wi="404" he="78" />且，<img file="FDA0000814306590000013.GIF" wi="610" he="85" />其中，<img file="FDA0000814306590000014.GIF" wi="67" he="64" />表示构成所述第一半导体晶体层及所述第二半导体晶体层中一部分发挥N型沟道功能的半导体晶体层的晶体的电子亲和力，<img file="FDA0000814306590000015.GIF" wi="70" he="65" />表示构成所述第一半导体晶体层及所述第二半导体晶体层中一部分发挥P型沟道功能的半导体晶体层的晶体的电子亲和力，E<sub>g2</sub>表示构成所述第一半导体晶体层及所述第二半导体晶体层中一部分发挥P型沟道功能的半导体晶体层的晶体的禁带宽度。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||