一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件及其制备方法，该器件包括：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内的n型隐埋沟道；位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对的p型碳化硅区；沟槽栅介质；栅接触；基区接触；源接触；漏接触。本发明在沟槽栅MOSFET结构的基础上，通过反掺杂部分p阱区，以实现用于提供源和漏导电通道的隐埋沟道，避免表面电子有效迁移率低和阈值电压偏高的问题，实现常关型器件。

主权项

一种隐埋沟道碳化硅沟槽栅MOSFETs器件，其特征在于，所述器件包括：1)沟槽栅碳化硅MOSFET：n型碳化硅衬底，所述衬底上的n型碳化硅漂移层，所述漂移层内包含具有间隔的p+型碳化硅区，所述p+型碳化硅区之间含有n+碳化硅源区；2)n型隐埋沟道：位于所述p+型碳化硅区之间且在所述n+碳化硅源区下的n型碳化硅漂移层内；3)p型碳化硅区：位于所述n+碳化硅源区下且在所述n型隐埋沟道内与所述p+型碳化硅区相对；4)沟槽栅介质：位于所述n+碳化硅源区之间，自n型碳化硅漂移层表面，沿n+碳化硅源区，经p型碳化硅区延伸进入n型碳化硅漂移层，槽深大于所述p型碳化硅区结深；5)栅接触：位于所述沟槽栅介质之上；基区接触：位于所述p+型碳化硅区上；源接触：与所述基区接触相交叠；漏接触。