分成子单元的基于硅的单片半导体基板

摘要

本发明涉及一种基于硅的单片半导体基板(10)，该基板被竖向分成相互隔离的子单元，该基板包括具有在1×10¹⁷cm^-3与2×10¹⁸cm^-3之间的填隙氧浓度的p型或n型硅基部(1)，以及在其至少一面上包括相对于彼此不连续的n+过掺杂阱和/或p+过掺杂阱，其特征在于，插入在两个相继的阱之间且在基板的整个厚度上延伸的至少一个基板区域是电隔离区域(3)，该电隔离区域的基于填隙氧的热施主浓度不同于基部(1)的基于填隙氧的热施主浓度。本发明还涉及用于制造这样的基板的方法。

主权项

一种竖向分成相互隔离的子单元(2)的基于硅的单片半导体基板(10)，所述基板(10)包括由p型硅或n型硅形成的、具有包括在1×10¹⁷cm^‑3与2×10¹⁸cm^‑3之间的填隙氧浓度的基部(1)，以及在所述基板的至少一面上集成的相对于彼此不连续的n+过掺杂阱和/或p+过掺杂阱，其特征在于，所述基板的介于两个相继的阱之间且延伸直接穿过所述基板的厚度(e)的至少一个区域是电隔离区域(3)，所述电隔离区域(3)的基于填隙氧的热施主的浓度不同于所述基部(1)的基于填隙氧的热施主的浓度。