| 发明名称 | 具有交替的N掺杂区域和P掺杂区域的单片硅晶圆 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种单片硅晶圆(10)，其在至少一个竖直切割面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别在所述晶圆的整个厚度(e)上延伸，其特征在于：所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在切割面中具有至少1mm的宽度(L<sub>1</sub>，L<sub>2</sub>)；所述n掺杂区域(110)具有氧热施主浓度，所述氧热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的氧热施主浓度；以及所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域由电隔离区域(130)彼此分开。本发明还涉及制造这样的晶圆的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105190863A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480024908.4 | 申请日期 | 2014.03.06 |
| 申请人 | 原子能与替代能源委员会 | 发明人 | 让-保罗·加朗代;塞巴斯蒂安·迪布瓦;尼古拉斯·昂雅尔贝;约尔迪·威尔曼;Y·维舍蒂 |
| 分类号 | H01L21/761(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/047(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/761(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华;何月华 |
| 主权项 | 一种单片硅晶圆(10)，在至少一个竖直横截面上具有交替的n掺杂区域(110)和p掺杂区域(120)，所述n掺杂区域和所述p掺杂区域分别贯穿所述晶圆的厚度(e)，其特征在于：‑所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)分别在所述横截面中具有至少1mm的宽度(L<sub>1</sub>，L<sub>2</sub>)；‑所述n掺杂区域(110)具有基于间隙氧的热施主浓度，所述热施主浓度不同于所述p掺杂区域(120)的热施主浓度；以及‑所述n掺杂区域(110)和所述p掺杂区域(120)由电隔离区域(130)彼此分开。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||