| 发明名称 | 减少沟道功率器件的源漏击穿电压蠕变的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种减少沟道功率器件的源漏击穿电压蠕变的方法，包括：在单元器件区域外围的终端区域通过第一次离子注入形成保护环；对保护环执行第二次离子注入；利用沟槽掩膜在单元器件区域形成沟道功率器件的沟槽；在沟槽的基础上执行栅极氧化物沉积和多晶硅沉积；在1150℃的温度下对多晶硅进行退火处理。 | ||
| 申请公布号 | CN105185698A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510491115.X | 申请日期 | 2015.08.11 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张怡 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 一种减少沟道功率器件的源漏击穿电压蠕变的方法，其特征在于包括：第一步骤：在单元器件区域外围的终端区域通过离子注入形成保护环；第二步骤：利用沟槽掩膜在单元器件区域形成沟道功率器件的沟槽；第三步骤：在沟槽的基础上执行栅极氧化物沉积和多晶硅沉积；第四步骤：对多晶硅进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||