| 摘要 |
본 발명은 포토레지스트 조성물을 사용하여, 무기 기판의 표면에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 상기 노광된 레지스트막의 유기 용매를 함유하는 현상액을 사용한 현상에 의해, 네가티브형 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 무기 기판에 이온 주입하는 공정을 갖고, 상기 포토레지스트 조성물이 산 해리성 기를 갖는 중합체 및 산 발생체를 함유하는 반도체 소자의 제조 방법이다. 상기 포토레지스트 조성물은 카르복시기, 술포기, 하기 식(i)로 표현되는 기(a), 산의 작용에 의해 카르복시기, 술포기 또는 상기 기(a)를 생성할 수 있는 기, 및 락톤성 카르보닐옥시기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하고, 또한 분자량이 1,000 이하인 화합물을 더 함유하고, 이 화합물의 함유량이 상기 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 30질량부 이하인 것이 바람직하다. |
