相变化存储装置及其制造方法

摘要

一种相变化存储装置的制造方法是以现有的成熟半导体制程在遮罩的通孔侧壁上形成所需的牺牲材料，移除遮罩后，留下的牺牲材料即可作为定义加热器尺寸的遮罩，因此，依据侧壁上牺牲材料的厚度，可精确定义尺寸极小的加热器。同时亦揭示一种以上述制造方法制造的相变化存储装置。

主权项

一种相变化存储装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，其包含多个底电极；形成一导电层于该基板上，其中该导电层与该多个底电极电性连接；形成一图案化遮罩于该导电层，其中该图案化遮罩具有至少一通孔以曝露出该导电层，且该图案化遮罩的该通孔的侧壁投影于相邻的该多个底电极；形成一牺牲材料于该图案化遮罩的顶表面以及该通孔的该侧壁；移除该图案化遮罩；以及依据该牺牲材料图案化该导电层，以形成至少一加热器。