发明名称 CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路及逆变器
摘要 本发明提供了一种CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路,包括CoolMosfet Snpc1、CoolMosfet Snpc2、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S1、IGBT S4以及二极管D1和二极管D2;同时提供了采用上述拓扑电路的逆变器。本发明的拓扑回路零电平导通经过两条并联支路,且CoolMosfet沟道电阻极低,逆变电路导通损耗将大大降低,有效降低二极管钳位三电平零电平导通损耗;由于防直通电感的存在,PWM信号不需要加入死区;没有钳位二极管的反向恢复损耗,进一步降低了电路导通损耗。
申请公布号 CN105186904A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510390558.X 申请日期 2015.07.03
申请人 上海交通大学;国家电网公司;南京南瑞继保电气有限公司 发明人 王勇;谢尚玉
分类号 H02M7/487(2007.01)I;H02M7/537(2006.01)I 主分类号 H02M7/487(2007.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 徐红银;郭国中
主权项 一种CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路,其特征在于,包括CoolMosfet Snpc1、CoolMosfet Snpc2、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S1、IGBT S4以及二极管D1和二极管D2;其中:所述IGBT S1、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S4串联形成回路;所述CoolMosfet Snpc1漏极连接于IGBT S1、CoolMosfet S2之间;所述CoolMosfet Snpc1源极与直流侧电容中点相接;所述CoolMosfet Snpc2源极连接于CoolMosfet S3、IGBT S4之间;所述CoolMosfet Snpc2漏极与直流侧电容中点相接;所述二极管D1与二极管D2在电路中的连接点位置采用如下任一种:‑二极管D1阳极连接于CoolMosfet S2源极,二极管D1阴极连接于IGBT S1集电极,二极管D2阳极连接于IGBT S4发射极,二极管D2阴极连接于CoolMosfet S3漏极;‑二极管D1阳极连接于CoolMosfet S3漏极,二极管D1阴极连接于IGBT S1集电极,二极管D2阳极连接于IGBT S4发射极,二极管D2阴极连接于CoolMosfet S2源极。
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