发明名称 |
CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路及逆变器 |
摘要 |
本发明提供了一种CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路,包括CoolMosfet Snpc1、CoolMosfet Snpc2、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S1、IGBT S4以及二极管D1和二极管D2;同时提供了采用上述拓扑电路的逆变器。本发明的拓扑回路零电平导通经过两条并联支路,且CoolMosfet沟道电阻极低,逆变电路导通损耗将大大降低,有效降低二极管钳位三电平零电平导通损耗;由于防直通电感的存在,PWM信号不需要加入死区;没有钳位二极管的反向恢复损耗,进一步降低了电路导通损耗。 |
申请公布号 |
CN105186904A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201510390558.X |
申请日期 |
2015.07.03 |
申请人 |
上海交通大学;国家电网公司;南京南瑞继保电气有限公司 |
发明人 |
王勇;谢尚玉 |
分类号 |
H02M7/487(2007.01)I;H02M7/537(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/487(2007.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
徐红银;郭国中 |
主权项 |
一种CoolMosfet中点钳位I型三电平拓扑电路,其特征在于,包括CoolMosfet Snpc1、CoolMosfet Snpc2、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S1、IGBT S4以及二极管D1和二极管D2;其中:所述IGBT S1、CoolMosfet S2、CoolMosfet S3、IGBT S4串联形成回路;所述CoolMosfet Snpc1漏极连接于IGBT S1、CoolMosfet S2之间;所述CoolMosfet Snpc1源极与直流侧电容中点相接;所述CoolMosfet Snpc2源极连接于CoolMosfet S3、IGBT S4之间;所述CoolMosfet Snpc2漏极与直流侧电容中点相接;所述二极管D1与二极管D2在电路中的连接点位置采用如下任一种:‑二极管D1阳极连接于CoolMosfet S2源极,二极管D1阴极连接于IGBT S1集电极,二极管D2阳极连接于IGBT S4发射极,二极管D2阴极连接于CoolMosfet S3漏极;‑二极管D1阳极连接于CoolMosfet S3漏极,二极管D1阴极连接于IGBT S1集电极,二极管D2阳极连接于IGBT S4发射极,二极管D2阴极连接于CoolMosfet S2源极。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |