| 发明名称 | 改善套刻精度面内均匀性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善套刻精度面内均匀性的方法，该方法在离子注入工艺之后，用激光退火工艺推阱，然后在氧化层生长后，多晶硅生长前，再进行有选择的激光退火工艺。本发明利用激光退火抑制硅单晶热氧化过程中引入的氧化层错，同时通过实际的量测数据对硅片翘曲度进行补偿，从而提高了套刻精度的面内均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN103901729B | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201210567590.7 | 申请日期 | 2012.12.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 孟鸿林;郭晓波;刘尧 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 改善套刻精度面内均匀性的方法，其特征在于，在离子注入工艺之后，用激光退火工艺推阱，然后再在氧化层生长后，多晶硅生长前，进行有选择的激光退火工艺，使硅片达到结晶熔融的临界状态。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||