SCM样品横断面的制备方法

摘要

本发明提供一种SCM样品横断面的制备方法，包括在晶片上形成标识，确定目标样品的位置；根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片；采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口；按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面；按照第二配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。避免后续横断面的结构缺陷，同时省去了化学机械抛光过程，提高了聚焦离子束研磨形成开口后的后续工艺的可控性，提高SCM样品横断面制备效率。

主权项

一种SCM样品横断面的制备方法，其特征在于，包括：在晶片上形成标识，以确定目标样品的位置；根据所述标识去除所述目标样品一侧的预定义宽度的晶片；采用聚焦离子束研磨所述目标样品一侧剩余的晶片，形成暴露出所述目标样品横断面的预定义大小的开口；按照第一工艺配方对所述目标样品的一侧进行热氧化，湿法腐蚀热氧化后的所述目标样品的一侧，以暴露出所述目标样品的横断面；按照第二工艺配方对所述目标样品的横断面进行热氧化，以形成SCM样品横断面。