一种基于反铁磁自旋转向现象的传感器

摘要

本发明提供的一种基于反铁磁自旋转向(spin flop)现象的传感器，由人工反铁磁多层膜组成，其中，所述人工反铁磁多层膜采用磁控溅射制备而成，其结构由下至上包括：基片、缓冲层、第一铁磁层、非磁金属层、第二铁磁层和盖帽层。本发明的传感器可以在发生spin flop时使电阻值产生迅速变化。

主权项

一种基于反铁磁自旋转向(spin flop)现象的传感器，由人工反铁磁多层膜组成，其特征在于，所述人工反铁磁多层膜采用磁控溅射方法制备而成，其结构由下至上包括：基片、缓冲层、第一铁磁层、非磁金属层、第二铁磁层和盖帽层；当在人工反铁磁材料的易轴方向加磁场时，两个铁磁层的磁矩转变到与外磁场垂直的方向，形成反铁磁自旋转向现象，此时体系的电阻值因为各向异性磁电阻效应而发生变化，从而在偏离原点较远的地方得到一段斜率很大的磁电阻曲线；将外磁场设置在反铁磁自旋转向场附近，然后利用磁电阻曲线段斜率很大的磁电阻曲线，从而对磁性生物标记分子的杂散场进行探测。