| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能够使在衬底上具备多个种类的电阻体的半导体装置的制造工序数与以往相比减少的半导体装置及其制造方法。半导体装置(1)具备：第一金属布线层(11)，其形成在衬底(10)上；层间绝缘膜(12)，其形成在第一金属布线层(11)上；第二金属布线层(23)，其形成在层间绝缘膜(12)上；第一电阻体，其具有形成在第一金属布线层(11)与第二金属布线层(23)之间的第一电阻金属膜(14a)、形成在第一电阻金属膜(14a)上的第一绝缘膜(15a)以及形成在第一绝缘膜(15a)上的第二电阻金属膜(16a)；以及第二电阻体，其具有形成在第一金属布线层(11)与第二金属布线层(23)之间的第一电阻金属膜(14b)、形成在第一电阻金属膜(14b)上的第一绝缘膜(15b)以及形成在第一绝缘膜(15b)上的第二电阻金属膜(16b)。 | ||
| 申请公布号 | CN105190865A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480013840.X | 申请日期 | 2014.03.19 |
| 申请人 | 旭化成微电子株式会社 | 发明人 | 长仓浩太郎 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：第一金属布线层，其形成在半导体衬底上；层间绝缘膜，其形成在上述第一金属布线层上；第二金属布线层，其形成在上述层间绝缘膜上；第一电阻体，其具有形成在上述第一金属布线层与上述第二金属布线层之间的第一电阻金属膜、第一绝缘膜以及第二电阻金属膜，该第一绝缘膜形成在上述第一电阻金属膜上，该第二电阻金属膜形成在上述第一绝缘膜上且薄层电阻与上述第一电阻金属膜的薄层电阻不同；以及第二电阻体，其具有形成在上述第一金属布线层与上述第二金属布线层之间的第三电阻金属膜、第二绝缘膜以及第四电阻金属膜，该第二绝缘膜形成在上述第三电阻金属膜上，该第四电阻金属膜形成在上述第二绝缘膜上且薄层电阻与上述第三电阻金属膜的薄层电阻不同，其中，上述第一电阻金属膜和上述第三电阻金属膜是由相同的材料形成的膜，上述第二电阻金属膜和上述第四电阻金属膜是由相同的材料形成的膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||