| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种具有即便进行微型化也能够较容易地制造且能够抑制起因于微型化的电特性下降的结构半导体装置以及其制造方法。在氧化物半导体层的顶面上形成源电极层及漏电极层。氧化物半导体层的侧面与源电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第一布线。此外，氧化物半导体层的侧面与漏电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第二布线。 | ||
| 申请公布号 | CN105190902A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480026295.8 | 申请日期 | 2014.04.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 花冈一哉 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;姜甜 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一氧化物半导体层；所述第一氧化物半导体层上的源电极层；所述第一氧化物半导体层上的漏电极层；以及所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，其中，所述源电极层与所述第一氧化物半导体层的顶面的第一部分直接接触，其中，所述源电极层不与所述第一氧化物半导体层的任何侧面直接接触，其中，所述漏电极层与所述第一氧化物半导体层的所述顶面的第二部分直接接触，其中，所述漏电极层不与所述第一氧化物半导体层的任何侧面直接接触，并且其中，所述第二氧化物半导体层与所述源电极层的顶面的一部分及所述漏电极层的顶面的一部分直接接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||