晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极及其制备方法，晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极包括与局域背表面场连接的局域电极以及在与硅片衬底的接触表面上覆盖有背面钝化膜的背面电极，在局域电极与背面电极之间设有至少一个梁桥电极，梁桥电极与硅片衬底的接触表面上也覆盖有背面钝化膜，局域电极与背面电极通过梁桥电极连接，并且在局域电极与背面电极之间除梁桥电极的连接区域外也设置有背面钝化膜。它能够抑制局域背表面场空洞的形成，增加局域背表面场的厚度，降低少数载流子穿过局域背表面场来到接触区被复合的电阻损失，提高背钝化电池的转换效率。

主权项

一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极，包括与局域背表面场(5)连接的局域电极(3)以及在与硅片衬底(6)的接触表面上覆盖有背面钝化膜(2)的背面电极(1)，其特征在于：在局域电极(3)与背面电极(1)之间设有至少一个梁桥电极(4)，梁桥电极(4)与硅片衬底(6)的接触表面上也覆盖有背面钝化膜(2)，局域电极(3)与背面电极(1)通过梁桥电极(4)连接，并且在局域电极(3)与背面电极(1)之间除梁桥电极(4)的连接区域外也设置有背面钝化膜(2)，所述的梁桥电极(4)的宽度为0.1‑50000μm，长度为0.1‑1000μm，所述的局域电极(3)、背面电极(1)以及梁桥电极(4)的材料中含有铝。