| 发明名称 | 采用臭氧等离子体的氧自由基增强的原子层沉积 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用臭氧等离子体的氧自由基增强原子层沉积。具体地，公开了一种在位于反应室内部的衬底表面上进行氧自由基增强的原子层沉积过程的方法。该方法包括形成臭氧等离子体以产生氧自由基O*。该方法还包括按顺序供给该氧自由基和前体气体进入反应室的内部以在衬底表面上形成氧化物膜。还公开了一种用于进行氧自由基增强的原子层沉积过程的系统。 | ||
| 申请公布号 | CN105177527A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510103249.X | 申请日期 | 2015.03.10 |
| 申请人 | 超科技公司 | 发明人 | A·W·泽弗洛普洛 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | 一种在位于反应室内部的衬底表面上进行自由基增强的原子层沉积(RE‑ALD)过程的方法，包括：形成臭氧等离子体以产生氧自由基O*；以及按顺序供给该氧自由基和前体气体进入反应室的内部以在衬底表面上形成氧化物膜。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||